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臺積電CoWoS產能2025年翻倍,競爭對手緊追不舍

2025年1月3日 07:29  第一財經  

近日SemiWiki發布數據報告稱,臺積電(201.58, 4.09, 2.07%)的先進封裝CoWoS月產能(WPM)在2025年將達到6.5萬片/月至7.5萬片/月,而2024年的產能為3.5萬片/月至4萬片/月,今年產能預計將翻一倍。此前,臺積電CEO魏哲家在去年財報業績會上表示,2024年臺積電先進封裝產能處于供不應求的狀態,狀態會持續到2025年,并將于2025年或2026年實現供需平衡。

該報告預計,英偉達是2025年臺積電CoWoS的最主要客戶,占整體產能63%。同時根據光大證券,博通、AMD(120.63, -0.16, -0.13%)、美滿、亞馬遜(220.22, 0.83, 0.38%)等芯片大廠均對臺積電CoWoS的需求持續增加。

不過根據SemiWiki預計,博通、AMD和美滿僅占2025年臺積電整體CoWoS產能10%左右,而亞馬遜、Intel Habana等僅占3%左右份額。臺積電的CoWoS產能可能在2025年主要供給于英偉達,對于其它企業而言,其CoWoS可能仍處于供不應求的情況。

CoWoS是臺積電推出的2.5D先進封裝服務,是英偉達生產H100、B100等GPU必不可少的制造工藝。CoWoS的技術路線圖顯示,臺積電目前主要采用的是CoWoS-S/L/R三種(按照CoWoS的中介層不同進行的區分),采用3.3倍光罩尺寸,同時封裝8個HBM3。臺積電預計到2027年,公司主要采用CoWoS-L,8倍光罩尺寸,可同時封裝12個HBM4。此外,臺積電還推出了3D先進封裝,名叫SoIC。

業界認為摩爾定律正走向物理極限,通過先進封裝提升芯片性能成為大勢所趨。不僅臺積電推出了2.5D及3D先進封裝,而且另兩家頭部晶圓廠也紛紛推出相關服務。三星電子推出I-Cube、H-Cube和X-Cube三種先進封裝,前兩者屬于2.5D封裝,后者為3D封裝。英特爾(20.22, 0.17, 0.85%)也推出EMIB、Foveros、Co-EMIB等2.5D和3D封裝服務。

目前臺積電處于領先地位。一位晶圓代工業者表示,臺積電的優勢在于良率的know how,而這來自于多年的實際生產經驗積累。

一位從事先進封裝EDA的人士告訴記者,2.5D封裝領域競爭的核心在于良率,并且良率的微小差別就會產生巨大成本差異:“2.5D或3D先進封裝,封裝的是GPU、CPU、HBM等,一旦封裝出錯,就有可能損壞這些芯片,而這些芯片價格昂貴。”她進一步指出,即使上述芯片未損壞,出現差錯后,先進封裝采用的高價值基板也會受損,并且市場化時間拉長,也會大幅抬升成本。

雖然臺積電在良率上略勝一籌,但是其它廠商在技術上也有創新。CoWoS采用的TSV中介層被認為價格昂貴,也有廠商嘗試替代TSV中介層來降低成本,比如英特爾。英特爾推出EMIB的2.5D封裝采用了硅橋,而非TSV中介層,進而避免了制造TSV中介層的工藝難度和高昂成本問題。此外,英特爾還將EMIB和Foveros(英特爾另一種2.5D和3D封裝技術)相融合,推出了3.5D EMIB。

除了臺積電、三星和英特爾進軍該領域外,封測廠也在嘗試,包括日月光、安靠等。上述晶圓廠代工人士認為,此類先進封裝涉及晶圓制造的前段制程,而封測廠少有涉獵,因而缺乏相關制造經驗,所以對于未來高性能要求的先進封裝只能晶圓廠做,封測廠難有競爭力。不過,一位為晶圓廠制定先進封裝方案的人士認為,上述看法過于絕對,在封測廠完成整套2.5D或3D先進封裝在未來是完全可行的。

編 輯:章芳
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